• 已选条件：
  • × Wang, C. A
  • × National Technical Reports Library
  • × 2003
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1 Measurement of the Auger Recombination Rate in p-Type 0.54-eV GaInAsSb by Time-Resolved Photoluminence. [科技报告]

作者:Anikeev, S.;Donetsky, D.;Belenky, G.;等

发布日期:2003

关键词:Measurements;Alloys;...

发布机构:Technical Information Center Oak Ridge Tennessee

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2 Wafer Bonding and Epitaxial Transfer of GaSb-Based Epitaxy to GaAs for Monolithic Interconnection of Thermophotovoltaic Devices. [科技报告]

作者:Wang, C. A.;Shiau, D. A.;Murphy, P. G.;等

发布日期:2003

关键词:Wafers;Photovoltaics;...

发布机构:Technical Information Center Oak Ridge Tennessee

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3 Recombination Parameters in InGaSb Epitaxial Layers for Thermophotovoltaic Applications. [科技报告]

作者:Kumar, R. J.;Gutmann, R. J.;Borrego, J. M.;等

发布日期:2003

关键词:Thermophotovoltaics;Engineering;...

发布机构:Technical Information Center Oak Ridge Tennessee

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4 Organometallic Vapor Phase Epitaxy of n-GaSb and n-GaSb and n-GaInAsSb for Low Resistance Ohmic Contacts. [科技报告]

作者:Wang, C. A.;Shiau, D. A.;Huang, R. K.;等

发布日期:2003

关键词:Ohmic contacts;Doping;...

发布机构:Technical Information Center Oak Ridge Tennessee

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5 Evolution of Surface Structure and Phase Separation in GaInAsSb. [科技报告]

作者:Wang, C. A., Calawa, D. R., Vineis, C. J.

发布日期:2003

关键词:Alloys;Atomic force microscopy;...

发布机构:Technical Information Center Oak Ridge Tennessee

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